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美光发布新一代存储

news-belong-1.png发布时间:2023-11-20 10:21:38
news-belong-.png发布者:晨轩科技
浏览次数:638

      存储器大厂美光近期公布最新路线图,包括DDR5、GDDR7和HBM4E存储器技术,其中GDDR7正好赶上明年底下一代英伟达GPU芯片。


     美光最新路线图延长至2028年,比7月发布时延长两年,内容也调整过,增加几款新产品。美光目前第二代HBM3运行速度为1.2TB/s,为8层堆叠,预计2026年推出12和16层堆叠的HBM4,带宽超过1.5TB/s;到2027~2028年,将发布12层和16层堆叠的HBM4E,带宽可达2TB/s以上。


    至于GDDR7上市时间有些改变,从2024上半年延后到年底,与目前最快的GDDR6X模组(最高容量为16Gb,带宽为24Gb/s)相比,容量和带宽都提高。首批GDDR7容量提高至24Gb,带宽为32Gb/s;到2026年下半年,会推出更快的GDDR7,带宽和容量将增至36Gb/s。


    英伟达曾表示Blackwell将于2025年面世,而英伟达下一代GeForce RTX50系列有望使用美光GDDR7存储器。


     DDR5存储器部分,美光为消费者和数据中心设定不同的产品线,计画基础是新32Gb单体设计。这种高容量模组将应用于128GB DDR5-8000内存条,一直延伸至2026年供桌机用户使用。


     同时美光还开发用于服务器的MCRDIMM产品,速度为8000MT/s。这种设计的巅峰将是2025年底推出的256GB内存条,运行速度为12800Mb/s。


     在移动领域部分,美光将在2024年底采用DellCAMM标准,焦点似乎在提高容量而非带宽,公司也表示将在2026年前使用8533Mb/s速率的内存条。第一代设计每条将提供16GB至128GB容量,到2026下半年,每个模组容量将增至192GB或更高。